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晶体管
BSC750N10NDGATMA1参考图片

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BSC750N10NDGATMA1

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数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.1077
710.77
500
¥6.2828
3141.4
5,000
¥4.3957
21978.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms, 62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC, 11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6.5 S, 6.5 S
下降时间
3 ns, 3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
BSC750N10ND BSC75N1NDGXT G SP000359610
单位重量
556 mg
商品其它信息
优势价格，BSC750N10NDGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQD7P20TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5595
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.5538
参考库存:82150
2N4392
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Chan JFET
1:¥20.905
10:¥18.6676
100:¥16.9839
250:¥15.368
参考库存:47037
TPW4R50ANH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
1:¥22.5096
10:¥18.1365
100:¥16.2946
500:¥12.6786
5,000:¥9.4468
10,000:查看
参考库存:202304
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30 / 40
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
800:¥22.0576
2,400:查看
参考库存:5456
BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:147228
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