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晶体管
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2SA1962RTU

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数量单价合计
1
¥17.7523
17.7523
10
¥15.0629
150.629
100
¥12.0684
1206.84
500
¥10.5994
5299.7
1,000
¥8.7575
8757.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
230 V
集电极—基极电压 VCBO
230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
17 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SA1962
高度
19.9 mm
长度
15.6 mm
封装
Tube
宽度
4.8 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
55 at 1 A, 5 V
Pd-功率耗散
130000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
450
子类别
Transistors
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,2SA1962RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:3847
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥84.9082
10:¥76.7609
25:¥73.1562
100:¥63.5512
参考库存:6414
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5207
参考库存:5171
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2997
10:¥4.2149
100:¥3.1979
500:¥2.6329
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.9097
参考库存:270293
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥97.0444
10:¥88.2078
25:¥81.6086
50:¥77.1451
参考库存:6115
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