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晶体管
FS50R06W1E3_B11参考图片

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FS50R06W1E3_B11

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数量单价合计
1
¥278.7032
278.7032
5
¥275.7765
1378.8825
10
¥257.0298
2570.298
25
¥245.5038
6137.595
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
205 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06W1E3B11BOMA1 SP000790740
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS50R06W1E3_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enhance Mode
1:¥6.9156
10:¥5.7743
100:¥3.7177
1,000:¥2.9832
2,000:¥2.9832
参考库存:26996
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
1:¥8.9157
10:¥7.6727
100:¥5.8873
500:¥5.198
5,000:¥3.6386
10,000:查看
参考库存:27001
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
3,000:¥1.4238
参考库存:27006
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
1:¥7.5258
10:¥6.4071
100:¥4.9268
500:¥4.3505
2,500:¥3.0397
10,000:查看
参考库存:27011
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V
1:¥18.5998
10:¥15.8313
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,500:¥8.5315
4,500:查看
参考库存:27016
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