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晶体管
DMN6068SE-13参考图片

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DMN6068SE-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
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1706.3
4,000
¥1.4577
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.6 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
DMN6068
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
19.7 S
下降时间
8.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.8 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.9 ns
典型接通延迟时间
3.6 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN4605(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 SM6, -50V, -100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:17363
DTA043EMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:40440
SMUN2114T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC59 BR XSTR PNP 50V
1:¥1.1526
10:¥1.02152
100:¥0.3616
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.18419
参考库存:150827
SI2303CDS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:50019
SI1023X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:30546
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