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晶体管
IKB30N65EH5ATMA1参考图片

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IKB30N65EH5ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
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数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.7412
2174.12
250
¥20.6677
5166.925
1,000
¥15.594
15594
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
650V TRENCHSTOP 5
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
55 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB30N65EH5 SP001502648
商品其它信息
优势价格，IKB30N65EH5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF152
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥566.0057
2:¥554.8639
5:¥548.7958
10:¥531.5746
参考库存:1933
FMMTA14TA
Diodes Incorporated
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:28705
XF1001-SC-EV1
MACOM
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module
1:¥4,322.25
参考库存:1882
TP0620N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 200V 12Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:8004
2N6038
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:9051
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