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晶体管
IRFI4020H-117P参考图片

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IRFI4020H-117P

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数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
500
¥15.0629
7531.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-5
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9.1 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
21 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
8.4 ns
零件号别名
SP001556636
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF8S18210WHSR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W
250:¥774.6263
参考库存:39933
PSMN5R0-100PS,127
Nexperia
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5,000:¥10.5994
参考库存:39938
BUK7Y15-60EX
Nexperia
晶体管
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1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:16246
2N5115E3
Microsemi
晶体管
JFET
1:¥305.9814
5:¥289.4608
10:¥286.1499
25:¥264.6347
参考库存:39945
SQD40N06-14L_T4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252
2,500:¥4.1245
5,000:¥3.9211
10,000:¥3.7742
25,000:¥3.6612
参考库存:39950
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