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晶体管
FGP20N60UFDTU参考图片

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FGP20N60UFDTU

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库存:11,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥14.9838
1498.38
250
¥14.2154
3553.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGP20N60UFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
高度
9.4 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FGP20N60UFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.9775
参考库存:31790
晶体管
达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power NPN
1:¥6.7574
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8985
参考库存:24147
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 600A 6500V
1:¥18,649.5313
参考库存:3254
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
参考库存:4486
晶体管
MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP
1:¥6.3732
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:25703
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