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晶体管
NTR2101PT1G参考图片

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NTR2101PT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET -8V 3.7A P-Channel
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.1696
21.696
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.65314
1959.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
960 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTR2101P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.75 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NTR2101PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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2,500:¥3.6047
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100:¥18.4416
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