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晶体管
IRF7101TRPBF参考图片

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IRF7101TRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 3.5A
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6613
56.613
100
¥3.6499
364.99
1,000
¥2.9154
2915.4
4,000
¥2.9154
11661.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
1.1 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP001562024
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGP4062D-E
Infineon / IR
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