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晶体管
STF33N60M6参考图片

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STF33N60M6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
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库存：2,200(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.4988
32.4988
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
33.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF33N60M6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38.5 ns
典型接通延迟时间
19.5 ns
商品其它信息
优势价格，STF33N60M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI1032R-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:51387
CSD85312Q3E
Texas Instruments
晶体管
MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5087
500:¥3.9889
2,500:¥2.8024
10,000:查看
参考库存:16214
ECH8668-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:22546
FDP2552
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:3408
IRL640PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:8440
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