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晶体管
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BSC019N06NSATMA1

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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.752
1175.2
500
¥10.2943
5147.15
1,000
¥8.5315
8531.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
BSC019N06NS SP001407774
商品其它信息
优势价格，BSC019N06NSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5868TLQ
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 0.5A
1:¥3.616
10:¥2.5312
100:¥1.1639
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.76049
参考库存:32105
RTQ040P02TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:13502
AUIRFZ48Z
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
参考库存:3309
BCX55TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:10356
FDC645N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
3,000:¥2.4069
参考库存:32813
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