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晶体管
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UF2840G

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
40 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
116 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
优势价格，UF2840G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX694B
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
1:¥6.7574
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:24855
IRF6646TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
1:¥17.063
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
4,800:¥7.571
9,600:查看
参考库存:39037
SIHP30N60E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:8159
PD84001
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
2,500:¥9.4468
5,000:查看
参考库存:12846
ZTX757
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
1:¥5.8421
10:¥4.9155
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
参考库存:27538
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