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晶体管
SIHP30N60E-GE3参考图片

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SIHP30N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:8,159(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.2622
46.2622
10
¥38.2618
382.618
100
¥31.5044
3150.44
250
¥30.51
7627.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP30N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.215
1,000:¥4.9042
3,000:¥4.5765
参考库存:33296
晶体管
MOSFET SOT-23 P-CH LOGIC
1:¥2.9945
10:¥2.3165
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:345603
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Current Driver
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥1.921
参考库存:43300
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥5.6839
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
3,000:¥2.4521
参考库存:61162
晶体管
MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
500:¥21.357
1,000:¥18.0574
参考库存:3804
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