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晶体管
IPD90N04S405ATMA1参考图片

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IPD90N04S405ATMA1

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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.7743
57.743
100
¥4.4409
444.09
500
¥3.9211
1960.55
2,500
¥2.7459
6864.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
86 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
XPD90N04
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD90N04S4-05 IPD9N4S45XT SP000711460
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD90N04S405ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -20V, -1A
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:34245
晶体管
MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5998
250:¥17.5941
800:¥13.3679
2,400:查看
参考库存:34250
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
1:¥3.9211
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:34255
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:34260
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
参考库存:34265
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