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晶体管
DMN6075S-7参考图片

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DMN6075S-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9549
19.549
100
¥0.90626
90.626
1,000
¥0.69156
691.56
3,000
¥0.59212
1776.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
Enhancement Mode MOSFET
系列
DMN60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Enhancement Mode MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
3.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN6075S-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥34.578
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1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
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晶体管
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1:¥11.6051
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
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射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
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10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:80973
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