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产品分类

晶体管
SQ4425EY-T1_GE3参考图片

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SQ4425EY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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库存:12,990(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.6052
13.6052
10
¥11.30
113
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6275
3813.75
2,500
¥7.6275
19068.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
6.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,SQ4425EY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40V 40Vceo 4.0Vebo 300mA 625mW
1:¥6.3732
10:¥5.5144
100:¥3.8194
1,000:¥2.8476
参考库存:12646
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:4643
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:2770
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4487
晶体管
MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.1867
100:¥3.3448
1,000:¥2.6781
3,000:¥2.26
参考库存:27754
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