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晶体管
FGH40T120SMD参考图片

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FGH40T120SMD

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库存:6,741(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.1777
51.1777
10
¥46.2622
462.622
25
¥44.1039
1102.5975
100
¥38.2618
3826.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3L
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
555 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH40T120SMD
封装
Tube
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH40T120SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 4.0A 2.0W 80 mohms @ 10V
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
3,000:¥1.8419
6,000:查看
参考库存:22347
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM53DS SC-74
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
参考库存:51944
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2.5K
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
10,000:¥1.4351
参考库存:126946
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥40.6461
10:¥33.6514
100:¥27.7415
250:¥26.8149
参考库存:22356
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
参考库存:16953
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