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晶体管
IRLML5203GTRPBF参考图片

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IRLML5203GTRPBF

  • Infineon Technologies
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  • MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC Log Lvl
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
6000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001567222
单位重量
1.400 g
商品其它信息
优势价格,IRLML5203GTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥27.12
10:¥21.8203
100:¥19.8993
250:¥17.9783
参考库存:1543
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
1:¥4.2262
10:¥2.8024
100:¥1.5594
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:472240
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:3482
晶体管
MOSFET 20v P-Channel FemtoFet
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:9539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:7691
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