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晶体管
SIHB22N60EL-GE3参考图片

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SIHB22N60EL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥34.4989
34.4989
10
¥28.589
285.89
100
¥23.5153
2351.53
250
¥22.826
5706.5
3,000
¥16.3624
49087.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT20M16LFLLG
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10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:69565
BC817-16W,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.07576
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
10,000:¥0.15368
20,000:查看
参考库存:11587
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