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晶体管
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IRLD110PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
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数量单价合计
1
¥8.2264
8.2264
10
¥7.3111
73.111
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.4748
2237.4
1,000
¥3.5369
3536.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
HVMDIP-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.3 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
商品其它信息
优势价格，IRLD110PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17303Q5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6106
500:¥7.5823
2,500:¥5.8534
5,000:查看
参考库存:21865
FDD5690
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
1:¥11.2209
10:¥9.605
100:¥7.4015
500:¥6.5427
2,500:¥4.5765
10,000:查看
参考库存:28327
TPH11003NL,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
1:¥5.6048
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8871
参考库存:21784
APT75GT120JU2
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥324.0388
5:¥313.123
10:¥302.9078
25:¥280.1609
参考库存:5121
IRFP9140NPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -21A 117mOhm 64.7nCAC
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:9063
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