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晶体管
STGD10NC60HT4参考图片

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STGD10NC60HT4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
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数量单价合计
1
¥16.2155
16.2155
10
¥13.7521
137.521
100
¥10.9836
1098.36
500
¥9.605
4802.5
2,500
¥7.4128
18532
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD10NC60H
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGD10NC60HT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4118
晶体管
MOSFET 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.9157
参考库存:11705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:12972
晶体管
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:4889
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:18091
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