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晶体管
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TGF3015-SM

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
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445.672
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100
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34578
250
¥315.044
78761
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.1 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
557 mA
输出功率
11 W
Pd-功率耗散
15.3 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-EP-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
0.03 GHz to 3 GHz
商标
Qorvo
开发套件
TGF3015-SM-EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1120419
商品其它信息
优势价格，TGF3015-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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