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晶体管
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FGA25N120ANTDTU-F109

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数量单价合计
1
¥23.4362
23.4362
10
¥19.8993
198.993
100
¥17.289
1728.9
250
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4090.6
500
¥14.6787
7339.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA25N120ANTDTU
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGA25N120ANTDTU_F109
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FGA25N120ANTDTU-F109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA2121-R(Q)
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暂无价格
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥137.2385
200:¥125.9385
500:¥119.8704
参考库存:43368
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