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晶体管
2N6284G参考图片

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2N6284G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power NPN
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库存:14,218(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.5563
52.5563
10
¥47.5617
475.617
50
¥45.3356
2266.78
100
¥39.3466
3934.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
20 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
160 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6284
封装
Tray
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
20 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12 g
商品其它信息
优势价格,2N6284G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V NCh PowerTrench
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
3,000:¥2.4069
参考库存:6273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
参考库存:3025
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
参考库存:22377
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:25279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:21221
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