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晶体管
BSS308PE H6327参考图片

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BSS308PE H6327

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2374
22.374
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.91417
914.17
3,000
¥0.78422
2352.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS308
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.6 S
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.3 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns
零件号别名
BSS308PEH6327XTSA1 BSS38PEH6327XT SP000928942
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS308PE H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:84274
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:28101
晶体管
MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:21828
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥28.9732
10:¥24.0464
100:¥19.7524
250:¥19.1309
500:¥17.2099
参考库存:6905
晶体管
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:13282
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