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晶体管
PSMN0R9-25YLC,115参考图片

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PSMN0R9-25YLC,115

  • Nexperia
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6275
762.75
500
¥6.7348
3367.4
1,000
¥5.3223
5322.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
990 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
272 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
商标
Nexperia
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
74 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103.5 ns
典型接通延迟时间
42.5 ns
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTD3055L104T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 60V 12A N-Channel
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.5933
参考库存:218905
IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥10.5994
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8477
参考库存:19467
SCT2H12NYTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
1:¥40.4201
10:¥34.352
100:¥29.8094
250:¥28.2726
400:¥25.3572
参考库存:26449
SI7858ADP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 29A 0.0026Ohm
1:¥26.894
10:¥22.2836
100:¥18.2834
250:¥17.7523
500:¥15.9104
3,000:¥15.9104
参考库存:14916
SI7454DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V, 40 MOHMS@4.5V
1:¥18.1365
10:¥15.0629
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
3,000:¥8.4524
参考库存:36733
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