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IPA80R1K4CEXKSA2

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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9495
694.95
500
¥6.1359
3067.95
1,000
¥4.8477
4847.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
1.22 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
IPA80R1K4CE SP001313390
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA80R1K4CEXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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