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晶体管
NTD3055L104T4G参考图片

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NTD3055L104T4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 60V 12A N-Channel
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6499
36.499
100
¥2.3504
235.04
1,000
¥1.8871
1887.1
2,500
¥1.5933
3983.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
104 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
7.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD3055L104
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
9.1 S
下降时间
40.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
104 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，NTD3055L104T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA124EUBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:34940
BC860BE6327HTSA1
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:34945
JANTX2N2907AUA
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥248.1932
5:¥235.7406
10:¥229.5934
25:¥211.0049
参考库存:34950
30C02MH-TL-H
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暂无价格
参考库存:34955
NVMFS5C673NLWFT3G
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MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥2.3956
10,000:¥2.3052
25,000:¥2.2261
参考库存:34960
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