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晶体管
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RGPR10BM40FHTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5032
750.32
500
¥6.6331
3316.55
1,000
¥5.2319
5231.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
460 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGP
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
0.6 mA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
零件号别名
RGPR10BM40FH
商品其它信息
优势价格，RGPR10BM40FHTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHU6N62E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥12.7577
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥6.9495
参考库存:19846
APTGT750U60D4G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥926.4644
参考库存:49849
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
参考库存:49854
SI6991DQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V
3,000:¥6.328
6,000:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:49859
NTTFS4C65NTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.7572
25,000:¥2.6781
参考库存:49864

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    50万现货SKU

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