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晶体管
AFT09MS007NT1参考图片

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AFT09MS007NT1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥27.9675
279.675
25
¥25.4363
635.9075
100
¥22.8938
2289.38
1,000
¥17.1308
17130.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
400 mV, 30 V
增益
15.2 dB
输出功率
7.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
870 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
114 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935318254515
单位重量
280 mg
商品其它信息
优势价格,AFT09MS007NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 79A 4MOHM
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
5,000:¥2.2487
参考库存:25873
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9043
5,000:¥5.1302
10,000:查看
参考库存:8530470
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:20472
晶体管
MOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
1:¥3.3787
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:25882
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:25887
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