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晶体管
FDMT80080DC参考图片

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FDMT80080DC

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数量单价合计
1
¥37.8776
37.8776
10
¥32.1937
321.937
100
¥27.8884
2788.84
250
¥26.4307
6607.675
3,000
¥18.984
56952
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
1.06 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
195 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMT80080DC
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
116 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
67 ns
单位重量
248.520 mg
商品其它信息
优势价格,FDMT80080DC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
1,600:¥3.8533
3,200:¥3.3109
5,600:¥3.0171
10,400:¥2.7572
25,600:¥2.712
参考库存:36558
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:8098
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
9,000:¥0.48364
24,000:¥0.47686
参考库存:36565
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥31.0411
100:¥29.041
250:¥26.2047
500:¥23.5153
参考库存:36570
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36575
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