EMG11T2R详细参数_参考价格_EMG11T2R PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual Common Emitter
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-5
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	EMG11
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.5 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	EMG11

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DDTB123TU-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K	3,000:¥0.36838 9,000:¥0.31527 24,000:¥0.29945 45,000:¥0.27685	参考库存:44379
2731GN-200M	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor	5:¥4,744.5649	参考库存:44384
DMA261020R	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm	3,000:¥0.791 9,000:¥0.73789 24,000:¥0.67574 45,000:¥0.63732	参考库存:44389
FZ2400R12HP4_B9	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A	1:¥7,081.9586 5:¥6,968.6987	参考库存:44394
BC817RAZ	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC817RA/SOT1268 DFN1412-6	5,000:¥0.46104 10,000:¥0.4068 25,000:¥0.3842 50,000:¥0.33787 100,000:¥0.32996	参考库存:44399