ADTC144EUAQ-13详细参数_参考价格_ADTC144EUAQ-13 PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	330 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	0.1 V
商标	Diodes Incorporated
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	10000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STD2NK90ZT4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH	1:¥12.5204 10:¥10.6785 100:¥8.2264 500:¥7.2885 2,500:¥5.1076 10,000:查看	参考库存:23204
BUL98	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg FAST SWITCH NPN Pwr TRANSISTOR	1:¥22.4418 10:¥19.0518 100:¥16.5206 250:¥15.6731	参考库存:7636
IRF1404ZPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg	1:¥12.6786 10:¥10.7576 100:¥8.6106 500:¥7.571 1,000:¥6.2715	参考库存:45263
IPD35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T	1:¥7.684 10:¥6.5879 100:¥5.0624 500:¥4.4748 2,500:¥3.1301 10,000:查看	参考库存:5895
IPP075N15N3 G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥41.7987 10:¥35.5046 100:¥30.8151 250:¥29.1992 500:¥26.2047	参考库存:8047