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晶体管
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FCB110N65F

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数量单价合计
1
¥32.1146
32.1146
10
¥27.3573
273.573
100
¥23.6622
2366.22
250
¥22.4418
5610.45
800
¥16.9839
13587.12
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 30 V
Qg-栅极电荷
98 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
357 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II FRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FCB110N65F
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
31 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FCB110N65F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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