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晶体管
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STU16N65M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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数量单价合计
1
¥17.8992
17.8992
10
¥15.2098
152.098
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.6785
5339.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
STU16N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
11.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
11.3 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU16N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS6H852NWFT1G
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