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晶体管
SQ4184EY-T1_GE3参考图片

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SQ4184EY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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库存：6,258(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.2152
102.152
100
¥7.91
791
500
¥6.9043
3452.15
2,500
¥5.3223
13305.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
7.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
78 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格，SQ4184EY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS20R06W1E3_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 20A 600V
1:¥202.0101
5:¥199.9422
10:¥186.337
25:¥177.9637
参考库存:3168
PDTC114YUF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:15675
CSD23381F4T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:38687
PDTA115ET,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:75589
PDTA143ZQAZ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:28056
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