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晶体管
TK290P60Y,RQ参考图片

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TK290P60Y,RQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥9.9101
99.101
100
¥8.6784
867.84
500
¥6.7122
3356.1
2,000
¥4.7008
9401.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSV
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TK290P60Y
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
65 ns
商品其它信息
优势价格,TK290P60Y,RQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 50V 150MA SOT-363
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.56839
参考库存:55524
晶体管
MOSFET P Chan-20V-2.5A Mid-PowerSwitching
1:¥6.1472
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.2035
参考库存:26476
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
参考库存:8408
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 450A 650V
1:¥1,086.3594
5:¥1,065.0024
10:¥1,015.3615
25:¥994.0045
参考库存:3815
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥381.9739
5:¥369.1371
10:¥357.1478
25:¥330.2538
参考库存:4127
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