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晶体管
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FCP220N80

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数量单价合计
1
¥26.7358
26.7358
10
¥22.6678
226.678
100
¥19.6733
1967.33
250
¥18.6676
4666.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
78 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperFET II
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FCP220N80
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FCP220N80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGP4062D-E
Infineon / IR
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1:¥69.3142
10:¥62.6246
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PHE13009,127
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24,000:查看
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BC857CMB,315
Nexperia
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1:¥1.7628
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100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:45443
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