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晶体管
FGH40T120SQDNL4参考图片

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FGH40T120SQDNL4

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A UFS
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库存:8,070(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.1722
54.1722
10
¥48.9516
489.516
25
¥46.6464
1166.16
100
¥40.4992
4049.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.78 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
454 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,FGH40T120SQDNL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
1:¥4.3844
10:¥3.39
100:¥2.5086
500:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:17184
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 500 45V
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:1256231
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:8453
晶体管
MOSFET N-CH 80V 4.1 mOhm Standard level FET
1:¥21.2892
10:¥18.1365
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:5275
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
1,500:¥1.6159
参考库存:86787
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