BSM180C12P2E202详细参数_参考价格_BSM180C12P2E202 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	分立半导体模块
RoHS	是
产品	Power Semiconductor Modules
类型	SiC Power Module
Vf - 正向电压	1.6 V at 180 A
Vgs - 栅极-源极电压	- 6 V, 22 V
安装风格	Screw Mount
封装 / 箱体	Module
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	BSMx
封装	Tray
配置	Chopper
技术	SiC
商标	ROHM Semiconductor
晶体管极性	N-Channel
典型延迟时间	49 ns
下降时间	32 ns
Id-连续漏极电流	204 A
Pd-功率耗散	1360 W
产品类型	Discrete Semiconductor Modules
上升时间	36 ns
工厂包装数量	4
子类别	Discrete Semiconductor Modules
典型关闭延迟时间	139 ns
典型接通延迟时间	49 ns
Vds-漏源极击穿电压	1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压	1.6 V

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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