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晶体管
SQS460EN-T1_GE3参考图片

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SQS460EN-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified
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库存:58,090(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.2943
10.2943
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.4467
744.67
500
¥5.8308
2915.4
3,000
¥4.2375
12712.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格,SQS460EN-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:74053
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.4469
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1077
参考库存:11900
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:20822
晶体管
MOSFET 650V N-Ch PFC FET 30Vgs 3.0nC 2.44Ohm
1:¥7.7631
10:¥6.3506
100:¥5.2997
500:¥4.0906
2,500:¥3.277
10,000:查看
参考库存:14529
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥49.4827
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
参考库存:4156
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