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晶体管
SQJ431AEP-T1_GE3参考图片

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SQJ431AEP-T1_GE3

  • Vishay Semiconductors
  • 最新
  • MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.605
96.05
100
¥7.4128
741.28
500
¥6.3732
3186.6
3,000
¥4.6895
14068.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9.4 A
Rds On-漏源导通电阻
305 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2. 5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ431AEP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:46413
FDMC86240
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥15.594
10:¥13.221
100:¥10.5994
500:¥9.2208
3,000:¥7.1642
6,000:查看
参考库存:54255
FQD6N50CTM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥7.2998
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:13587
TN0604N3-G-P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.3733
10:¥8.2264
25:¥6.9608
100:¥6.328
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:13759
IGB50N60TATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥38.5782
10:¥32.7361
100:¥28.4308
250:¥26.9731
1,000:¥20.3626
2,000:查看
参考库存:10896
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