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晶体管
RM4N650IP参考图片

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RM4N650IP

  • Rectron
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  • MOSFET TO-251 MOSFET
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数量单价合计
2,400
¥3.3109
7946.16
3,200
¥2.8363
9076.16
5,600
¥2.5877
14491.12
10,400
¥2.3617
24561.68
25,600
¥2.3278
59591.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,RM4N650IP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP50V 100mW 4.7kOhm Trans Digital BJT
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:54791
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:9793
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
2,500:¥5.0511
10,000:查看
参考库存:17295
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:31527
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.1473
参考库存:9799
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