IMH23T110详细参数_参考价格_IMH23T110 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	820
集电极—发射极最大电压 VCEO	20 V
集电极连续电流	600 mA
峰值直流集电极电流	600 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	IMH23
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	820
发射极 - 基极电压 VEBO	12 V
高度	1.1 mm
长度	2.9 mm
宽度	1.6 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	IMH23

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SSM3K337R,LF	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel Mosfet	1:¥3.7629 10:¥2.7798 100:¥1.7515 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:28515
PMPB11EN,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET	1:¥4.068 10:¥3.4917 100:¥2.0001 1,000:¥1.5933 3,000:¥1.5933	参考库存:28267
AUIRG4BC30USTRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT	1:¥25.6623 10:¥21.8203 100:¥18.9049 250:¥17.8992 800:¥13.6052 2,400:查看	参考库存:5319
FQPF7N60	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V N-Channel QFET	1:¥15.9782 10:¥13.6052 100:¥10.9158 500:¥9.5259	参考库存:5481
DMC205C00R	Panasonic	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm	1:¥6.8365 10:¥5.2997 100:¥4.6443 500:¥4.1471 3,000:¥2.2487 9,000:查看	参考库存:15623