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晶体管
STGW28IH125DF参考图片

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STGW28IH125DF

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
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库存:8,634(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.3464
35.3464
10
¥30.0467
300.467
100
¥26.0465
2604.65
250
¥24.747
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.25 kV
集电极—射极饱和电压
2.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW28IH125DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW28IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.2153
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.6444
1,000:¥5.2432
3,000:¥5.2432
参考库存:62721
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 100A
1:¥303.6762
5:¥289.9128
10:¥280.8502
25:¥258.1033
参考库存:4148
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 30V, 61A, 8.8mOhm
1:¥5.2997
10:¥4.6895
100:¥3.5934
500:¥2.6555
2,500:¥1.8758
5,000:查看
参考库存:3775
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 "DTC114EKAT146" IS PREFERRED
1:¥2.8476
10:¥1.9662
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
3,000:¥0.59212
参考库存:19307
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.80V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:3589
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