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晶体管

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BSM75GP60

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数量单价合计
10
¥1,124.4743
11244.743
30
¥1,108.7221
33261.663
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
310 W
封装 / 箱体
Econo PIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GP60BOSA1 SP000100383
商品其它信息
优势价格,BSM75GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
暂无价格
参考库存:27332
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:27337
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2318
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:27342
晶体管
MOSFET FETKY SO8FL 25V 334A 700M
1:¥46.7933
10:¥39.7986
100:¥34.4989
250:¥32.7361
5,000:¥22.6678
参考库存:27347
晶体管
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms
1:¥29.5834
10:¥25.1312
100:¥21.8203
250:¥20.6677
参考库存:27352
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