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晶体管
JAN2N2907AL/TR参考图片

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JAN2N2907AL/TR

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
186
¥42.262
7860.732
250
¥38.8042
9701.05
500
¥35.4255
17712.75
1,000
¥30.8151
30815.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-206AA-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
600 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
450 at 1 mA, 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 500 mA, 10 V
Pd-功率耗散
0.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JAN2N2907AL/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:44520
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
参考库存:44525
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:44530
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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