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产品分类

晶体管
D3S080N65E-T参考图片

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D3S080N65E-T

  • D3
  • 最新
  • MOSFET 80 mOhm 650V
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库存:53,301(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥15.368
12294.4
2,400
¥14.5996
35039.04
4,800
¥14.0572
67474.56
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
29.1 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
134 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,D3S080N65E-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 53 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥7.91
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
参考库存:13562
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:47384
晶体管
IGBT 晶体管 INDUSTRY 14
1:¥52.3303
10:¥47.2566
25:¥45.0305
100:¥39.1093
参考库存:4886
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
3,000:¥2.2374
参考库存:32288
晶体管
MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.3391
250:¥2.3391
1,000:¥1.8758
参考库存:161680
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