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晶体管
PTFB211503FL-V2-R0参考图片

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PTFB211503FL-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥652.5976
32629.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
增益
18 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-34288-4/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB211503FL-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:12805
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:119262
晶体管
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
3,000:¥12.7577
参考库存:37894
晶体管
MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
5,000:¥10.8367
参考库存:24056
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:49063
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