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晶体管
QPD1015L参考图片

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QPD1015L

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015LPCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1015L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥8.6106
10:¥7.345
100:¥5.6387
500:¥4.9833
5,000:¥3.4917
10,000:查看
参考库存:68737
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥18.4416
10:¥15.6731
100:¥12.5204
500:¥10.9836
1,000:¥9.0626
5,000:¥9.0626
参考库存:17894
晶体管
MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
1:¥4.2262
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4125
参考库存:70711
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
2,000:¥1.4012
参考库存:125008
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.7632
参考库存:11370
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